1、討論點(diǎn)電荷在帶電球體所產(chǎn)生的電場(chǎng)中的運動(dòng)情況，得出了點(diǎn)電荷的運動(dòng)為簡(jiǎn)諧振動(dòng)的結論。
2、給出了兩個(gè)異號點(diǎn)電荷的零電勢面，由此討論了在不帶電的導體球外置一點(diǎn)電荷時(shí)的像電荷，進(jìn)而推廣到在不帶電的導體球腔內置一點(diǎn)電荷時(shí)的像電荷。
3、我能把這一切設計成一個(gè)點(diǎn)電荷模型。
4、根據點(diǎn)電荷電勢和場(chǎng)的疊加原理，導出了均勻帶電細圓環(huán)電勢和電場(chǎng)的級數表達式。
5、用四個(gè)點(diǎn)電荷構造一個(gè)簡(jiǎn)單、新穎的靜電勢阱，并基于含時(shí)薛定諤方程和有限差分時(shí)間域方法，研究冷原子在該勢阱中的量子力學(xué)效應。
6、本文依據靜電場(chǎng)的散度方程，論證了被作用電荷移入點(diǎn)電荷激發(fā)的電場(chǎng)中后，也有類(lèi)似于極化電荷的貢獻。
7、討論了導體球外存在點(diǎn)電荷時(shí)空間的電勢分布、導體球表面的電荷密度、點(diǎn)電荷與導體球之間的相互作用力，結果給出即使導體球與點(diǎn)電荷帶同種電荷也可以相互吸引。
8、我能用點(diǎn)電荷來(lái)構造模型。
9、證明了靜電場(chǎng)中點(diǎn)電荷的禁閉條件是禁閉區外部為抗電介質(zhì)，或者在禁閉區外排布鏡像點(diǎn)自由電荷系列線(xiàn)。?[好工具]
不考慮其尺寸、形狀和電荷分布情況的帶電體。是實(shí)際帶電體的理想化模型。在研究帶電體間的相互作用時(shí)，若帶電體的尺寸遠小于它們之間的距離時(shí)，就可把帶電體看成點(diǎn)電荷。
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