1、介紹了電子束焊機中的具體高電壓技術(shù)問(wèn)題。
2、為實(shí)現電子束曝光機掃描場(chǎng)的線(xiàn)性畸變校正，設計了圖形發(fā)生器的成像系統，該系統包括硬件和軟件兩部分。
3、空心鋁球的焊接更有特殊性，采用真空電子束焊接比激光焊接更為有利。
4、殘留表面電位會(huì )在后續觀(guān)測中引入誤差，影響臨界尺度掃描電鏡法的測量精度，并在電子束光刻中造成位置誤差。
5、評述了平板的基本問(wèn)題，指出矩陣式驅動(dòng)和電子束偏轉系統結合的平板可能是很有前途的一種方案。
6、用一個(gè)磁場(chǎng)使電子束走曲線(xiàn)路徑能夠屏蔽熱陰極。
7、介紹了用真空電子束焊接大型客車(chē)后橋殼半軸的工藝方法，并就焊接過(guò)程中存在的主要問(wèn)題進(jìn)行了分析。
8、研究了角錐喇叭天線(xiàn)的電子束焊接工藝，并與傳統的氬弧焊成形工藝進(jìn)行了對比。
9、研究了電子束曝光機圖形數據格式轉換軟件的分割、壓縮算法，針對傳統的圖形數據分割、壓縮算法存在的主要缺點(diǎn)，提出了新的分割算法和壓縮算法，并對壓縮算法進(jìn)行了詳細的論述和研究。
10、因此目前電子束光刻設備主要的用途是用于刻制掩膜板，許多人甚至認為電子束光刻技術(shù)的產(chǎn)出量永遠也無(wú)法滿(mǎn)足芯片量產(chǎn)的需求。
11、衍射光學(xué)元件有很多制作方法，比較成熟的有二元光學(xué)元件加工方法和激光或電子束直寫(xiě)技術(shù)加工方法。
12、高能量電子束也能用來(lái)激發(fā)高能量射線(xiàn)峰的發(fā)射。
13、電子束流的“馴服者”機敏，健談，自信，周身散發(fā)著(zhù)股向上的熱力。
14、論文分析了國內外電子束曝光技術(shù)的發(fā)展和圖形發(fā)生器的工作原理。
15、本文介紹一種新型的光學(xué)薄膜制備用多離子束電子束系統。
16、對電子束物理氣相沉積高硅硅鋼片進(jìn)行了高溫快速退火處理。
17、第一章簡(jiǎn)單介紹了電子束曝光技術(shù)的背景知識，包括國內外電子束曝光技術(shù)的發(fā)展過(guò)程和趨勢、電子束曝光機以及圖形發(fā)生器的研制與應用。
18、透射電子顯微鏡發(fā)出電子束直接打向細胞樣本，得到細胞的精細結構。
19、同時(shí)還介紹了電子束光刻技術(shù)及其改進(jìn)。
20、彩色顯像管的超薄型化涉及到兩方面的問(wèn)題，其一是擴大電子束的偏轉角，其二是減小玻殼的長(cháng)度，尤其是錐體玻殼的長(cháng)度。
21、本文介紹了新型電子束熔煉爐技術(shù)參數、結構、性能及其特點(diǎn)。
22、盡管如此，目前仍有許多公司和研究機構在繼續研究和開(kāi)發(fā)電子束光刻設備。
23、論文介紹了國內外電子束曝光技術(shù)的發(fā)展和圖形發(fā)生器的工作原理。
24、本論文利用電子束蒸發(fā)方法制備氧化鎢、氧化鎳薄膜的基礎上，研究了熱處理工藝對于薄膜電致變色性能的影響。
25、聚光鏡系統可將電子束聚集在樣品上，并且物鏡可對樣品進(jìn)行初級放大。?
26、本文的模擬結果不僅能為高能電子束光刻工藝優(yōu)化曝光條件、降低鄰近效應提供理論指導，而且能為進(jìn)一步的鄰近效應的校正提供更精確的數據。
27、電子束焊接是通過(guò)陰極加熱發(fā)射的電子，經(jīng)高壓電場(chǎng)加速后，獲得極高的動(dòng)能，加速后的電子經(jīng)過(guò)磁透鏡聚焦而形成能量密度極高的電子束來(lái)轟擊工件表面。
28、我之前提及過(guò)，我們上次，講到應用經(jīng)典力學(xué)如何描述，一個(gè)原子以及原子如何把質(zhì)子，和電子束縛在一起，今天我們要。
29、與所有降調，電子束，和低音譜號文書(shū)，爵士隊用播放沿系列是最終的學(xué)習所有爵士樂(lè )手工具。
30、本工作研究了晶體在快電子束作用下材料中出現的輻射損傷。
31、相應的電流就用來(lái)使陰極射線(xiàn)管里的電子束偏轉。
32、高功率雷射束與高能電子束相碰時(shí)，會(huì )產(chǎn)生一束極窄的伽瑪射線(xiàn)。
33、在圓形硅基底上采用電子束加熱蒸發(fā)制備了二氧化鈦薄膜。
34、方法：用電子束蒸發(fā)和射頻磁控濺射兩種技術(shù)制備了天然薄膜。
35、利用柱坐標系下的二維程序對金屬靶背向超熱電子束的運動(dòng)特性進(jìn)行了模擬，研究了超熱電子的回流機制。
36、論述了光柵掃描的原理及特點(diǎn)；介紹了圖形發(fā)生器的作用及電子束在控制系統作用下在基片上描繪圖形的過(guò)程。
37、最后利用電子束蒸發(fā)技術(shù)制備了薄膜樣品，樣品的光譜性能完全能夠滿(mǎn)足使用要求。
38、這幅顯微照片是通過(guò)掃描穿過(guò)樣品的電子束而獲得的，同時(shí)檢測器對從樣品表面反彈的電子進(jìn)行追蹤，這些電子顯示了標本的外形。
39、通過(guò)對電子束擴散函數與顯影對比度的分析，本文認為電子束曝光的分辨極限與顯影液在納米尺度下的擴散限制有關(guān)。
40、本文介紹了低能電子在固體中的彈性散射和非彈性散射，及其在電子束顯微分析中的一些應用。
41、實(shí)驗結果和理論分析表明，動(dòng)態(tài)變化的電子束蒸發(fā)工藝是制備優(yōu)質(zhì)透明導電膜的有效方法。
42、采用電子束直寫(xiě)、步進(jìn)制模、壓印翻制的壓印模具生產(chǎn)工藝，其模具的制造是目前面臨的難點(diǎn)。
43、指電子束蒸發(fā)器或曝光系統。
44、為了實(shí)現高清晰度顯示，大量采用非旋轉對稱(chēng)的系統以減小電子束上屏的束點(diǎn)尺寸。
45、結果：電子束使用電子束的磁偏轉代替球管機械運動(dòng)，既加快掃描速度，又減少機械磨損，有很高的時(shí)間分辨率。
46、本課題主要研究基于的電子束曝光機圖形發(fā)生器控制器。
47、舍溫解釋說(shuō)，當頻率合適的光線(xiàn)附到一個(gè)量子井上時(shí)，它會(huì )創(chuàng )造出一對叫做“電子空穴對”的電子束縛洞，而光線(xiàn)會(huì )被其所吸收。
48、此外，用此方法提取的電子散射參數被成功地用于相同實(shí)驗條件下的電子束臨近效應校正。
49、并在分析造成真空度不穩定原因的基礎上，闡述了的電子束爐真空系統的控制方案及其算法。
50、采用電子束蒸發(fā)沉積技術(shù)制備了平板偏振膜。
51、使用方法如電子束熔煉或選擇性激光燒結。
52、利用電子束光刻技術(shù)制作了基于鈦酸鈉納米線(xiàn)的納米器件。
53、為滿(mǎn)足納米級電子束曝光系統的要求，設計了高速圖形發(fā)生器。 /ZAOJu/
54、電子束蒸發(fā)臺是制作半導體、光電器件的必要設備，對器件的性能有很大的影響。
55、納米光刻技術(shù)在微電子制作中起著(zhù)關(guān)鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是最好的方法之一。
56、測量發(fā)現當電子束流增大到一定程度時(shí)，測出的彈性電子峰嚴重畸變，電子倍增器工作在飽和狀態(tài)。
57、結果表明，結果表明，熔煉工藝參數如熔化速度、熔煉功率、電子束掃描方式和掃描頻率都會(huì )對熔池表面溫度產(chǎn)生劇烈影響。
58、用電子束刻蝕法在晶片上鍍上納米級鋁層形成了電感器。